IGBT模塊低雜散電感疊層母排設(shè)計

（1）低雜散電感，從而減少電壓尖峰對元器件的損害，提高（延長）電子元器件的使用壽命；
（2）具有最小的阻抗，降低連接組件兩端的壓降；可以降低系統(tǒng)噪音和電磁干擾、射頻干擾；
（3）方便安裝和現(xiàn)場維護；
（4）減少部件數(shù)量，增加系統(tǒng)可靠性；
（5）簡潔、美觀。

目前BUSBAR已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于電力電子、航空航天、交通運輸及軍事等領(lǐng)域。
功率損耗與雜散電感的影響，V_CE, I_C, P_v, E_switch  的關(guān)系如下圖：

如果增加開關(guān)速度, 將減少開關(guān)損耗 E_switch ：

雜散電感對關(guān)斷過程的影響：

IGBT在關(guān)斷時，由于直流環(huán)節(jié)的雜散電感，兩端會出現(xiàn)過電壓：

加上直流母線電壓后可能會導致Vce>Vcemax,從而使IGBT過電壓損壞。

通過設(shè)計低電感的直流環(huán)節(jié)（較小的Lstray），可以使過電壓顯著減小。

電感：
當線圈中有電流通過時，線圈的周圍就會產(chǎn)生磁場。當線圈中的電流發(fā)生變化時，其周圍的磁場也產(chǎn)生相應(yīng)的變化，此變化的磁場可使線圈自身產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，這就是自感。
兩個電感線圈相互靠近時，一個電感線圈的磁場變化將影響另一個電感線圈，這種影響就是互感。
母線的電感：
電感普遍存在與導電的導體。通常疊層母線（BUSBAR）的物理尺寸是由系統(tǒng)決定的，元器件的位置是由BUSBAR的結(jié)構(gòu)決定的。為了盡量減少電感的影響，而又不會對系統(tǒng)整體裝配有大的影響，可以通過縮短導體與導體之間隔開的間距來實現(xiàn)。在系統(tǒng)或者部件允許范圍內(nèi)，導體也應(yīng)該設(shè)計成盡可能的寬。
電感估算公式：

其中：L=nH，l=導體長度，a=電介質(zhì)厚度，b=導體寬度
電容：
電容（或稱電容量）是表征電容器存儲電荷本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。
母線的電容：
系統(tǒng)中BUSBAR的正負母線之間由于特殊的結(jié)構(gòu)，有著一定量的電容，BUSBAR的結(jié)構(gòu)通過巧妙處理，使系統(tǒng)按要求執(zhí)行任務(wù)。選擇的電容絕緣材料介電常數(shù)符合要求，就不需要改變匯流線的結(jié)構(gòu)。不影響系統(tǒng)內(nèi)部的電感系數(shù)來實現(xiàn)電容可變，又要滿足電壓衰減的絕緣要求。
電容估算公式：

其中：C=pF,l=導體長度，b=導體寬度，Er=介電常數(shù)，a=電介質(zhì)厚度
電流：
在單位時間里通過截面的電荷量，叫電流。分為直流和交流。
母線的電流：
大多應(yīng)用在直流環(huán)境下，母線的額定電流是基于導體在載流時允許的最高溫度上升范圍的基礎(chǔ)上。在這個最高溫度下能長期穩(wěn)定的工作。
電流估算公式：

其中：I=A；W=導體寬度mm；T=導體厚度mm。
銅排與疊層母線的對比：
普通的銅排連接，絕緣是靠空間距離來完成的，電氣性能差，較多的連接點，可靠性和抗污染能力差。
疊層母線有較小的引線電感，絕緣材料絕緣可靠，封邊處理污染能力好。

導體：
在所有金屬中導電性能最好的前四種金屬按照順序依次是銀、銅、金、鋁。

BUSBAR用絕緣材料：

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