IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開關(guān)動(dòng)作時(shí),上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時(shí),需要對門極施加300V加15V,合計(jì)315V的母線電壓。因此,需要不受開關(guān)噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動(dòng)電路。
上橋臂驅(qū)動(dòng)可以使用了光耦合器和高壓驅(qū)動(dòng)集成電路。
使用光耦合器的上橋臂驅(qū)動(dòng):在大容量電路中,使用光耦合器進(jìn)行絕緣,此外還添加離散緩沖器的輸出端。在中容量以下的電路中,使用將上述功能集成為一體的混合集成電路。圖示為后者的例子。
● 使用去除高共模電壓的類型
● 為了盡量縮短空載時(shí)間以減少損耗,使用傳遞延遲時(shí)間tPLH和tPHL小的類型。tPLH和tPHL是相對于輸入信號(hào),輸出從L變?yōu)镠、或從H變?yōu)長的延遲時(shí)間差。
● 主要的供應(yīng)廠商是東芝、Agilent Technologies、夏普、NEC等
● 根據(jù)Agilent Technologies的資料,AC200V系列(使用600V的IGBT)到30kW為止,AC400V系列(使用1200V的IGBT)到15kW為止備有集成電路型光耦合器。(超過此容量時(shí)請使用光耦合器附加緩沖器的驅(qū)動(dòng))
使用驅(qū)動(dòng)集成電路的上橋臂的驅(qū)動(dòng):
驅(qū)動(dòng)集成電路中有
上橋臂用
半橋路用
上、下橋臂用
3相橋路用
等產(chǎn)品。大多數(shù)是600V耐壓產(chǎn)品,也有1200V耐壓產(chǎn)品。
● 自舉二極管應(yīng)該使用高速類型,耐壓應(yīng)該與IGBT相同。
● 自舉電容器應(yīng)該使用高頻特性良好的類型,或如薄膜電容器和陶瓷電容器進(jìn)行并聯(lián)連接。
● 盡量降低電源(Vcc)的電阻抗。
光耦合器和驅(qū)動(dòng)集成電路的比較:
兩者的一般特點(diǎn)如下。
光耦合器 驅(qū)動(dòng)集成電路
應(yīng)用技巧 比較容易 比較困難
構(gòu)成 混合 單片
AC400V電路 難度大
消耗電流范例 10mA 2mA以下
空載時(shí)間范例 2μs以上 可在1μs以下
裝配面積 大 小
保護(hù)功能 有內(nèi)置類型 有內(nèi)置、與電流傳感集成電路
連動(dòng)的類型
關(guān)于設(shè)備容量 尤其對3相2.2-
3.7KW的變頻器有利
性能的提高 驅(qū)動(dòng)能力提高、內(nèi)置保護(hù)功能、抗噪聲干擾性提高、特性不均衡的減少、與電流傳感集成電路連動(dòng)等